دستگاه لایه نشانی پاشش پلاسما با 3 منبع پاشش
دستگاه لایه‌نشانی مگنترون سه‌سر وی تی سی-600-3HD یک دستگاه لایه‌نشانی است که به تازگی توسط شرکت ما توسعه یافته است و برای تهیه فیلم فروالکتریک تک‌لایه یا چندلایه، فیلم رسانا، فیلم آلیاژی، فیلم نیمه‌رسانا، فیلم‌های سرامیکی، فیلم دی‌الکتریک، فیلم نوری، فیلم اکسید، فیلم سخت، فیلم PTFE و غیره استفاده می‌شود. دستگاه لایه‌نشانی مگنترون سه‌سر وی تی سی-600-3HD مجهز به سه تفنگ تارگت، یک منبع تغذیه آر اف برای لایه‌نشانی مواد غیررسانا و دو منبع تغذیه دی سی برای لایه‌نشانی مواد رسانا است.
- Shenyang Kejing
- شنیانگ، چین
- ۲۲ روز کاری
- ۵۰ مجموعه
- اطلاعات
معرفی محصول
وی تی سی-600-3HD یک سیستم رسوب لایه نازک با خلاء بالا است که به طور مستقل توسط شرکت ما توسعه داده شده است. این سیستم برای تهیه لایه‌های نازک کاربردی مختلف طراحی شده است و امکان رسوب با کیفیت بالا را برای ساختارهای تک لایه و چند لایه فراهم می‌کند. این سیستم به طور گسترده برای ساخت لایه‌های فروالکتریک، لایه‌های رسانا، لایه‌های آلیاژی، لایه‌های نیمه‌هادی، لایه‌های سرامیکی، لایه‌های دی‌الکتریک، پوشش‌های نوری، لایه‌های اکسیدی، پوشش‌های سخت و لایه‌های PTFE استفاده می‌شود.
وی تی سی-600-3HD مجهز به سه مجموعه تارگت پاششی است. یکی از تارگت‌ها به منبع تغذیه آر اف متصل است که برای مواد غیر رسانا مانند اکسیدها و سرامیک‌ها مناسب است، در حالی که دو تارگت دیگر توسط منبع تغذیه دی سی برای مواد رسانا مانند فلزات تغذیه می‌شوند. این پیکربندی طیف گسترده‌ای از سازگاری مواد را ارائه می‌دهد.
در مقایسه با سیستم‌های مشابه، این مدل دارای طراحی جمع و جور، ساختار منطقی و عملکرد کاربرپسند است، در حالی که یکپارچه‌سازی چندمنظوره عالی را ارائه می‌دهد. این دستگاه به ویژه برای آزمایشگاه‌های تحقیقاتی که در توسعه و مطالعه فرآیند سیستم‌های مواد جدید مانند الکترولیت‌های حالت جامد و دستگاه‌های OLED فعالیت می‌کنند، مناسب است. وی تی سی-600-3HD به عنوان یک سیستم اسپاترینگ مگنترون در مقیاس آزمایشگاهی ایده‌آل برای تحقیقات پیشرفته لایه نازک عمل می‌کند.
ویژگی‌های اصلی
۱. این دستگاه مجهز به سه تفنگ هدف‌گیری است، یک منبع تغذیه آر اف برای پوشش‌دهی اسپاترینگ مواد غیر رسانا و دو منبع تغذیه دی سی برای پوشش‌دهی اسپاترینگ مواد رسانا استفاده می‌شود (تفنگ هدف‌گیری را می‌توان با توجه به نیاز مشتری تعویض کرد).
۲. انواع لایه‌های نازک را می‌توان با طیف وسیعی از کاربردها تهیه کرد.
۳. اندازه کوچک و کارکرد آسان
۴. طراحی ماژولار کل دستگاه؛ طراحی جداگانه/تقسیم‌شده محفظه خلاء، گروه پمپ خلاء و منبع تغذیه کنترل، که می‌تواند با توجه به نیازهای واقعی کاربران تنظیم شود.
۵. منبع تغذیه را می‌توان با توجه به نیازهای واقعی کاربر انتخاب کرد. یک منبع تغذیه می‌تواند چندین تفنگ هدف‌گیری را کنترل کند، یا چندین منبع تغذیه می‌توانند یک تفنگ هدف‌گیری واحد را کنترل کنند.
تیپارامترهای فنی
نام محصول | دستگاه لایه نشانی اسپاترینگ مگنترون سه سر وی تی سی-600-3HD | ||
مدل محصول | وی تی سی-600-3HD | ||
| شرایط نصب | ۱. محیط: دمای محیط: ۲۵ درجه سانتیگراد ± ۱۵ درجه سانتیگراد؛ رطوبت: ≤۵۵٪ رطوبت نسبی ±۱۰٪ رطوبت نسبی. محیط باید خشک، بدون گرد و غبار و عاری از گازهای قابل اشتعال یا انفجار باشد. ۲. منبع آب: مجهز به چیلر خودگردش کی جی-5000، با استفاده از آب تصفیه شده یا دیونیزه. ۳. منبع تغذیه: تک فاز AC220V 50Hz، 10A، با یک قطع کننده مدار ۱۶A که در قسمت جلویی نصب شده است. ۴. گاز مورد نیاز: گاز آرگون (با خلوص ≥۹۹.۹۹%) مورد نیاز است. کاربر باید یک سیلندر آرگون با اتصالات دو حلقه‌ای Ø۶ میلی‌متری و رگولاتور فشار تهیه کند. ۵. الزامات میز کار: یک میز کار پایدار با ابعاد طول ۱۳۰۰ میلی‌متر × عرض ۷۵۰ میلی‌متر × ارتفاع ۷۰۰ میلی‌متر و ظرفیت بار ۲۰۰ کیلوگرم یا بیشتر توصیه می‌شود. ۶. تهویه: تهویه مناسب در محل نصب الزامی است؛ در صورت لزوم می‌توان سیستم تهویه یا اگزوز اضافی نصب کرد. | ||
پارامترهای اصلی (مشخصات) | دسته بندی | مشخصات | اظهارات |
سیستم خلاء | اندازه محفظه خلاء：φ295 × H265mm | محفظه استیل ضد زنگ با مقاومت عالی در برابر خوردگی | |
مجموعه پمپ خلاء： · پمپ مولکولی: هیپیس80 پمپ توربومولکولی · پمپ پشتیبان: MVP015-2DC پمپ دیافراگمی | سیستم اصلی فایفر با راندمان پمپاژ بالا | ||
خلاء پایه: 5.0E-3Pa (5.0E-5hPa) | قبل از رسوب‌گذاری، پایه را وکیوم کنید | ||
خلاء نهایی: 5.0E-4Pa (5.0E-6hPa) | تحت تأثیر محیط و کیفیت آب‌بندی | ||
| فشار کاری: 0.1~5Pa (0.001~0.05hPa) | عمدتاً آرگون، گازهای واکنش‌پذیر (اختیاری) | ||
سرعت پمپاژ： · پمپ پشتیبان: 1 متر مکعب در ساعت · پمپ مولکولی: 67 لیتر بر ثانیه | راندمان زمان جارو کردن را تعیین می‌کند | ||
| پیکربندی منبع تغذیه | نوع و مقدار برق: · جریان مستقیم (دی سی): ۲ واحد | جریان مستقیم (دی سی) برای اهداف فلزی و جریان فرکانس رادیویی (آر اف) برای اهداف عایق استفاده می‌شود. | |
محدوده توان خروجی： · جریان مستقیم: 0 تا 500 وات · فرکانس رادیویی: 0 تا 300 وات | خروجی قابل تنظیم برای مواد مختلف | ||
| امپدانس تطبیقی: 50 اهم | انتقال قدرت پایدار و کارآمد را تضمین می‌کند | ||
کنترل گاز | گاز کاری: پیکربندی استاندارد - آرگون (آر) | توصیه می‌شود از آرگون با خلوص ≥99.999 استفاده شود | |
| جریان گاز (۲ کانال): · کانال ۱: ۱–۱۰۰ اس سی ام | دو کانال جریان جرمی مستقل، قابل تنظیم برای سایر گازها | ||
دقت فلومتر: ±1% اف اس | سیستم ام اف سی با دقت بالا | ||
جایگاه نمونه چرخان | اندازه صحنه: Ø132 میلی‌متر (≈5.2 اینچ) | سازگار با اندازه‌های مختلف بستر | |
سرعت چرخش: ۱ تا ۲۰ دور در دقیقه | بهبود یکنواختی فیلم | ||
| دمای گرمایش: آر تی-500 درجه سانتیگراد | گرمایش سطح زیرلایه با کنترل دمای ثابت | ||
تیدقت دما: ±1 درجه سانتیگراد | پسیستم کنترل دمای شناسه | ||
| اهداف مگنترون | مقدار هدف: ۳ عدد | قابلیت اجرا به صورت تکی یا همزمان | |
· اندازه هدف: Ø2 اینچ · ضخامت: 0.1-5 میلی‌متر | ضخامت بسته به جنس متفاوت است | ||
| فاصله هدف-زیرلایه: 85-115 میلی‌متر قابل تنظیم | فاصله بیشتر، یکنواختی را بهبود می‌بخشد، اما سرعت را کمی کاهش می‌دهد | ||
| روش خنک کننده：خنک کننده با آب | سیستم خنک‌کننده گردشی از دمای هدف محافظت می‌کند | ||
عملکرد رسوب‌گذاری و موارد دیگر | یکنواختی فیلم: ±5% (زیرلایه با قطر 100 میلی‌متر) | عمدتاً توسط فاصله هدف-زیرلایه و سرعت چرخش تعیین می‌شود | |
محدوده ضخامت لایه: 10 نانومتر تا 10 میکرومتر | ضخامت بیش از حد ممکن است باعث ترک خوردگی ناشی از تنش شود | ||
حداکثر توان ورودی： · واحد اصلی: ۵۰۰ وات · منبع تغذیه آر اف: 1100 وات · منبع تغذیه دی سی: 750 وات | سیستم‌های تغذیه مستقل برای واحد اصلی، آر اف، دی سی و مانیتور ضخامت. | ||
| توان ورودی: · تک فاز: AC220V 50/60Hz | نیاز به اتصال زمین مناسب | ||
| ابعاد واحد اصلی： · 600 میلی‌متر × 750 میلی‌متر × 900 میلی‌متر | ارتفاع با درب باز: ۱۰۵۰ میلی‌متر | ||
ابعاد کلی： · ۱۳۰۰ متر × ۷۵۰ میلی‌متر × ۹۰۰ میلی‌متر | شامل فضای کنترل و پمپ | ||
| وزن کل： ۱۶۰ کیلوگرم | به استثنای سیستم چیلر | ||
لوازم جانبی استاندارد
خیر. | نام | مقدار | تصویر |
| 1 | سیستم کنترل منبع تغذیه دی سی | ۲ مجموعه | - |
| 2 | سیستم کنترل منبع تغذیه آر اف | ۱ مجموعه | - |
| 3 | سیستم نظارت بر ضخامت فیلم | ۱ مجموعه | - |
| 4 | پمپ مولکولی (وارداتی آلمانی یا داخلی با سرعت پمپاژ بالاتر) | ۱ واحد | - |
| 5 | چیلر | ۱ واحد | - |
| 6 | لوله پلی‌استر پلوتونیم (قطر ۶ میلی‌متر) | ۴ متر | - |
لوازم جانبی اختیاری
| خیر. | نام | دسته بندی عملکرد | تصویر |
| 1 | اهداف مختلف (طلا، ایندیوم، نقره، پلاتین و غیره) | اختیاری | - |
| 2 | هدف مغناطیسی قوی (برای پاشش مواد فرومغناطیسی) | اختیاری | - |
| 3 | ماسک | اختیاری | - |
| 4 | مرحله نمونه برداری ارتعاشی | اختیاری | - |
| 5 | دستگاه پوشش‌دهی چرخشی دولایه | اختیاری |  |
گارانتی
یک سال محدود با پشتیبانی مادام العمر (شامل قطعات زنگ زده به دلیل شرایط نامناسب نگهداری نمی‌شود)
لجستیک
